85411项下二极管是一种具有两个有效电极（一个ｐ-ｎ结）的半导体器件，工作时只允许电流由单一方向流过，而对反向的电流产生很大的阻力。体现的功能很像是电子版的单向阀。二极管外观不一，在行业里也会有些二极管是三个脚的，但仅带有一个ｐ-ｎ结两端半导体器件仍是属于二极管范围。
二极管
整流二极管
晶体管（85412）为半导体三端或四端器件，能对电流起放大、振荡、变频或开关等作用。晶体管是依靠其中两个电极之间电阻率的变化，并同时对第三个电极施加电场而进行工作的。晶体管主要分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两大类。
晶体管
晶闸管（85413）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，晶闸管是PNPN四层半导体结构，具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作且其工作过程可以控制；被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶体闸流管
发光二极管（85414）简称为LED。结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。有机发光二极管（OLED）显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光；有机发光二极管和激光二极管都是发光二极管的一种。
发光二极管
绝缘栅双极型晶体管（85415）简称为IGBT，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的三端功率半导体器件，工作时通过对门极与发射极施加适当的电压，可以控制电流的流向，即接通或切断。由非单一IGBT 器件构成的变流模块通常归入8504项下。由有源元件和无源元件共同压制而成的变流芯片通常归入8542项下。
IGBT结构图
非中心对称晶体在机械力作用下，产生形变并使带电质点发生相对位移，从而在晶体表面出现正、负束缚电荷，这样的晶体称为压电晶体。压电晶体极轴两端产生电势差的性质称为压电性。85416项下已装配的压电晶体是指其由金属外壳、玻璃外壳、陶瓷外壳或塑料外壳封装的压电晶体。如超出以上结构通常按上一级商品的零件归类，如具有通用性归入8548项下。声表面滤波器通常也是已装配压晶体的一种。单独报验的晶体通常归入3824项下。
已装配的压电晶体
